靜電放電產生的失效機制主要有兩種，一種是熱擊穿，一種是電擊穿。產生熱擊穿的根本原因是ESD脈沖產生了瞬間大電流，這時因為半導體組件的熱傳導特性都不是很好，由ESD電流所產生的大量熱量使得溫度上升，而由于ESD現(xiàn)象所發(fā)生的時間非常短暫，所以此過程中產生的熱量很難被泄放。產生電擊穿的根本原因是大電場所引起的介質擊穿，這種情況經常發(fā)生在MOSFET的柵氧處。知道了產生ESD損害的原因，我們在ESD防護設計中就需要處理大電流和高電壓的問題。因此，片上ESD防護的原則有以下兩條：一是通過低阻通道**泄放ESD電流，二是將電壓鉗在一個較低的水平。

    靜電放電模型

    ESD事件依據(jù)靜電放電產生原因及其對集成電路放電方式的不同可分成以下四類模型：

    (1)人體放電模型(HBM, Human-Body Model)

    (2)機器放電模型(MM, Machine Model)

    (3)器件充電模型(CDM, Charged-Device Model)

    (4)電場感應模型(FIM, Field-Induced Model)

    以*為人熟知也*常用的人體放電模型(HBM)為例來介紹下ESD模型的概念。HBM模型是指通過接觸芯片，人體上由于摩擦或其他因素所積累的靜電從芯片內流過泄放至地，放電時間只有幾百納秒，而瞬間的放電電流可達到數(shù)安培，從而足以將芯片內部的組件燒毀。對于一般商用芯片標準2KV 靜電防護電壓而言，其對應的瞬間放電電流*大值可達到1.33A。